APT801R4BNR-GULLWING datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

О ДАТАШИТЕ

• Маркировка
  APT801R4BNR-GULLWING
• Производитель
  Microsemi Corporation
• Описание
  Microsemi Corporation APT801R4BNR-GULLWING Mfr Package Description: TO-247, 3 PIN Package Shape: RECTANGULAR Package Style: FLANGE MOUNT Surface Mount: Yes Terminal Form: GULL WING Terminal Position: SINGLE Number of Terminals: 3 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Case Connection: DRAIN Number of Elements: 1 Transistor Element Material: SILICON Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER Drain Current-Max (ID): 8.5 A DS Breakdown Voltage-Min: 800 V Avalanche Energy Rating (Eas): 800 mJ Drain-source On Resistance-Max: 1.4 ohm Pulsed Drain Current-Max (IDM): 34 A
• Количество страниц
  2 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet APT801R4BNR-GULLWING.pdf
Файл формата Pdf 83,40 KB